Samsung už na svojich stránkach v lete minulého roku uverejnil prvé zmienky o DDR4 RAM pamäte. Vtedy sa hovorilo o dokončovaní špecifikácií, pričom sa prvé pamäte očakávali na ďalší rok čiže tento rok 2011. Z fabrík Samsungu už dnes vyšli prvé DDR4 pamäte postavené na 30nm technológii. O frekvencii 2133MHz pri napätí 1,2V. DDR4 by mali mať takty až cez 4GHz (4266MHz).
Budúce DDR4 moduly Samsungu budú pracovať na efektívnych frekvenciách od 1.6 do 3.2 GHz.
Pri stavbe DDR4 pamätí sa využila technika Pseudo Open Drain (POD). Tá sa nachádzala už v grafických pamätiach GDDR4 a zabezpečuje približne polovičnú spotrebu elektrického prúdu pri čítaní a zapisovaní dát oproti DDR3.
Vďaka nižšiemu napätiu by mala klesnúť spotreba v notebookových verziách až o 40% oproti súčasným DDR3 na 1,5V. Okrem 1,2V sa však ráta aj s úspornejšími verziami na 1,1V až 1,05V.
Prvé vyrobené moduly s kapacitou 2GiB a napätím 1,2V momentálne putujú k výrobcom pamäťových radičov na testovanie s budúcimi produktmi. Taktiež sa čaká na organizáciu JEDEC, ktorá by mala sfinalizovať špecifikácie.
Zdroje: dsl.sk